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IRF6613
7.0
1000
6.0
5.0
4.0
3.0
I D = 23A
TJ = 125°C
TJ = 25°C
800
600
400
200
ID
TOP 6.7A
8.1A
BOTTOM 18A
2.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
15V
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
L D
V DS
VDS
L
DRIVER
+
V DD -
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
V GS
Pulse Width < 1μs
D.U.T
Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
Duty Factor < 0.1%
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 14b. Switching Time Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
V gs(th)
I G
I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 15. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
Fig 16. Gate Charge Waveform
5
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